SK Hynix Prezentē Revolucionāro HBM3E Atmiņu Tehnoloģiju, Iesaukdama Samsunga Cīņā par Augstas Veiktspējas Atmiņu

SK Hynix plāno radīt vētru augstas veiktspējas atmiņu pasaulē, ieviešot jaunievedumu – HBM3E DRAM. Šī modernā atmiņas tehnoloģija, kas pazīstama arī kā High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), sola atrisināt jautājumu par ievērojamu veiktspējas un enerģijas efektivitātes uzlabojumu datortehnikas, mākslīgā intelekta un grafiku lietojumprogrammām.

Tā, kas padara HBM3E īpašu, ir tā unikālais vertikālais savienojumu dizains starp vairākiem DRAM čipiem. Šis dizains ne tikai palielina datu apstrādes ātrumu un kapacitāti, bet arī uzlabo siltuma izvadīšanu, nodrošinot optimālu veiktspēju. SK Hynix apgalvo, ka tā HBM3E atmiņas čips var apstrādāt datus ar apbrīnojami lielu ātrumu – līdz pat 1.15 terabajtiem sekundē. Lai iegūtu priekšstatu par to, tas ir ekvivalenta vairāk nekā 230 pilnīga HD filmu, kuru faila izmērs ir 5 GB, apstrādāšanai vienā sekundē.

Lai papildus uzlabotu siltuma izvadīšanu, SK Hynix ir ieviesusi savu jaunākās tehnoloģijas Advanced Mass Reflow Molded Underfill tehnoloģiju, kas ļauj iegūt ievērojamu 10% uzlabojumu. Ar šiem iespaidīgajiem sasniegumiem SK Hynix iedomājas, ka tās HBM3E atmiņa būs kustības spēks aiz mākslīgā intelekta tehnoloģiskās inovācijas.

Ar prieku paziņojam, ka ir izplatīti baumas par to, ka SK Hynix HBM3E atmiņas čips varētu spēlēt būtisku lomu Nvidia nākotnes plānos. Nvidia, kas ievērojama ar tās augstas veiktspējas GPU, iespējams, vērsies pie SK Hynix kā alternatīva atmiņas čipa piegādātāja savai B100 Blackwell AI GPU. Micron lēmums atlikt HBM4 izlaišanu līdz 2025. gadam ir radījis spekulācijas par SK Hynix, kas aizpilda šo tukšumu tirgū.

Lai gan sākotnēji Samsung bija favorīts šajā partnerībā, SK Hynix HBM3E atmiņas čips piedāvā pārliecinošu alternatīvu. Abas šīs kompānijas ar nepacietību gaida Nvidia apstiprinājumu par savu sadarbību, jo tas var būtiski mainīt augstas veiktspējas datorzinātnes un mākslīgā intelekta ainu.

Bieži uzdotie jautājumi (BUJ):

Kā HBM3E atšķiras no iepriekšējām paaudzēm?
HBM3E jeb High Bandwidth Memory gen 3 Extended pārstāv nozīmīgu attīstību veiktspējas un enerģijas efektivitātes ziņā salīdzinājumā ar iepriekšējām atmiņas paaudzēm. Tā unikālais vertikālais savienojumu dizains starp vairākiem DRAM čipiem uzlabo datu apstrādes ātrumu, kapacitāti un siltuma izvadīšanu, nodrošinot optimālu veiktspēju.

Avoti:
– SK Hynix oficiālā tīmekļa vietne: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Nvidia oficiālā tīmekļa vietne: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog windowsvistamagazine.es