تکنولوژی حافظه HBM3E به‌طور چشمگیری در حرارت‌دهی و قدرت محاسباتی پیشرفت می‌کند

تکنولوژی حافظه HBM3E پشتیبانی شده توسط شرکت SK Hynix به زودی به دنیای حافظه‌های با عملکرد بالا روی می‌دهد. این تکنولوژی حافظه پیشرو به نام High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E) توانایی ارائه یک پیشرانه عمده در عملکرد و کارایی انرژی برای کامپیوترها، هوش مصنوعی و برنامه‌های گرافیک را دارد.

آنچه HBM3E را از سایر حافظه‌ها متمایز می‌کند، طراحی منحصربه‌فرد اتصال عمودی تراشه‌های DRAM است. این طراحی نه‌تنها سرعت و ظرفیت پردازش داده‌ها را افزایش می‌دهد، بلکه تابش حرارتی را نیز بهبود می‌بخشد و عملکرد بهینه را تضمین می‌کند. شرکت SK Hynix اعلام کرده است که تراشه حافظه HBM3E آن توانایی پردازش داده‌ها را با سرعتی بیش از 1.15 ترابایت بر ثانیه دارد. در واقع معادل پردازش بیش از ۲۳۰ فیلم Full HD با حجم ۵ گیگابایتی را در یک ثانیه به انجام می‌رساند.

برای بهبود تابش حرارتی بیشتر، شرکت SK Hynix از تکنولوژی مبدل زیر پرش ریاضیاتی Advanced Mass Reflow Molded Underfill استفاده کرده است که باعث افزایش ۱۰٪ قابل توجهی در کارایی می‌شود. با این قابلیت‌های بی‌نظیر، SK Hynix HBM3E را به عنوان مهم‌ترین نیروی محرکه در پیشرفت تکنولوژی هوش مصنوعی می‌بیند.

جالب است که شایعاتی وجود دارد که نشان می‌دهد تراشه حافظه HBM3E شرکت SK Hynix ممکن است نقش مهمی در طرح‌های آینده شرکت نویدیا ایفا کند. نویدیا، شناخته‌شده به خاطر GPUهای با عملکرد بالا، ممکن است به دنبال گزینه‌ای از SK Hynix به عنوان تأمین‌کننده تراشه‌های حافظه برای GPU B100 Blackwell AI خود باشد. تصمیم شرکت Micron برای تأخیر تا سال ۲۰۲۵ انتشار HBM4، باعث شایعاتی درباره پر کردن این نیاز در بازار توسط SK Hynix شده است.

اگرچه ابتدا سامسونگ به عنوان نامزد اصلی برای این همکاری مورد توجه قرار گرفته بود، تراشه حافظه HBM3E شرکت SK Hynix گزینه‌ای جذاب را ارائه می‌دهد. هر دو شرکت با تأیید نویدیا درباره همکاری‌شان، منتظر تغییرات چشمگیر در زمینۀ محاسبات با عملکرد بالا و هوش مصنوعی هستند.

سوالات متداول (FAQ):

۱. HBM3E چگونه از نسل‌های قبلی حافظه متمایز می‌شود؟
HBM3E یا High Bandwidth Memory gen 3 Extended نسل بعدی حافظه و پیشرفت قابل‌توجهی در عملکرد و کارایی انرژی نسبت به نسل‌های قبلی حافظه را ارائه می‌دهد. طراحی منحصربه‌فرد اتصال عمودی تراشه‌های DRAM آن سرعت و ظرفیت پردازش داده‌ها و تابش حرارتی را بهبود می‌بخشد، که همه منجر به عملکرد بهینه می‌شود.

منبع:
– پروژه سامسونگ: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– پروژه نویدیا: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]