SK Hynix представляє революційну технологію пам’яті HBM3E, викликаючи Samsung у гонці високопродуктивної пам’яті

SK Hynix готується зробити хвилю на ринку високопродуктивної пам’яті з запуском своєї новаторської технології DRAM HBM3E. Ця передова технологія пам’яті, відома як High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), обіцяє значний стрибок у продуктивності та енергоефективності для обчислювальних, штучного інтелекту та графічних додатків.

Особливістю HBM3E є його унікальна вертикальна конструкція з’єднання кількох чіпів DRAM. Ця конструкція не тільки підвищує швидкість обробки даних та потужність, але й поліпшує відведення тепла, забезпечуючи оптимальну продуктивність. SK Hynix стверджує, що його пам’яті HBM3E можуть обробляти дані з неймовірною швидкістю до 1,15 терабайт в секунду. Щоб проілюструвати це, це еквівалентно обробці понад 230 повних HD-фільмів, кожен з яких має розмір файлу 5 ГБ, всього за одну секунду.

Для подальшого поліпшення відведення тепла, SK Hynix застосувала свою передову технологію Advanced Mass Reflow Molded Underfill, що призвело до вражаючого покращення на 10%. З такими захоплюючими можливостями SK Hynix бачить свої пам’яті HBM3E як тяглову силу іновацій в галузі штучного інтелекту.

Цікаво, що ходять чутки про те, що пам’ять HBM3E від SK Hynix може відіграти важливу роль у майбутніх планах Nvidia. Nvidia, відома своїми високопродуктивними графічними процесорами, може звернутися до SK Hynix як до альтернативного постачальника пам’яті для своїх графічних процесорів B100 Blackwell AI. Рішення компанії Micron затримати випуск HBM4 до 2025 року спричинило поголоски про те, що SK Hynix може зайняти цей нішевий ринок.

Хоча спочатку Samsung був упередженим у цьому партнерстві, пам’ять HBM3E від SK Hynix пропонує переконливу альтернативу. Обидві компанії з нетерпінням чекають підтвердження від Nvidia щодо їх партнерства, оскільки воно може суттєво змінити ландшафт високопродуктивного обчислення та штучного інтелекту.

Часто запитують (FAQ):

В чому відрізняється HBM3E від попередніх поколінь пам’яті?
HBM3E, або High Bandwidth Memory gen 3 Extended, представляє собою значний прогрес у продуктивності та енергоефективності порівняно з попередніми поколіннями пам’яті. Його унікальна вертикальна конструкція з’єднання кількох чіпів DRAM покращує швидкість обробки даних, потужність та відведення тепла, забезпечуючи оптимальну продуктивність.

Джерела:
– Офіційний веб-сайт SK Hynix: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Офіційний веб-сайт Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog anexartiti.gr