SK Hynix представляет революционную технологию памяти HBM3E, вызывая Samsung на битву высокопроизводительной памяти

SK Hynix намерена сделать революцию в мире высокопроизводительной памяти с запуском своей прорывной DRAM HBM3E. Эта передовая технология памяти, известная как High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), обещает достичь значительного прорыва в производительности и энергоэффективности в области вычислений, искусственного интеллекта и графических приложений.

Что делает HBM3E уникальным, это его особый вертикальный дизайн соединения нескольких чипов DRAM. Этот дизайн не только повышает скорость и объем обработки данных, но также улучшает отвод тепла, обеспечивая оптимальную производительность. SK Hynix утверждает, что его микросхема памяти HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1.15 терабайт в секунду. Чтобы это понять, это эквивалентно обработке более 230 фильмов Full HD, каждый с размером файла 5 ГБ, всего за одну секунду.

Для дальнейшего улучшения отвода тепла, SK Hynix внедрила передовую технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill, что привело к впечатляющему улучшению в 10%. С такими уникальными возможностями SK Hynix видит свою технологию HBM3E в качестве движущей силы за инновациями в сфере искусственного интеллекта.

Интересно, что слухи говорят, что микросхема памяти HBM3E от SK Hynix может сыграть значительную роль в будущих планах Nvidia. Nvidia, известная своими высокопроизводительными графическими процессорами (GPU), потенциально может обратиться к SK Hynix в качестве альтернативного поставщика памяти для своего GPU B100 Blackwell AI. Решение компании Micron задержать выпуск HBM4 до 2025 года вызвало спекуляции о том, что SK Hynix может занять это место на рынке.

Хотя Samsung изначально был предпочтительным кандидатом на партнерство, микросхема памяти HBM3E от SK Hynix представляет собой привлекательную альтернативу. Обе компании с нетерпением ждут подтверждения со стороны Nvidia относительно своего партнерства, так как оно может значительно изменить ландшафт высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта.

Часто задаваемые вопросы (FAQ):

Как HBM3E отличается от предыдущих поколений памяти?
HBM3E, или High Bandwidth Memory gen 3 Extended, представляет собой значительное совершенствование по сравнению с предыдущими поколениями памяти в плане производительности и энергоэффективности. Его уникальный вертикальный дизайн соединения нескольких чипов DRAM повышает скорость обработки данных, емкость и отвод тепла, обеспечивая оптимальную производительность.

Источники:
— Официальный веб-сайт SK Hynix: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
— Официальный веб-сайт Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog smartphonemagazine.nl