Annabelle Stephenson
SK Hynix ketina sukrėsti aukštosios efektyvumo atminties pasaulį pristatydama savo išskirtinę HBM3E DRAM technologiją. Ši inovatyvi atminties technologija, žinoma kaip High Bandwidth Memory 3 Extend (HBM3E), žada suteikti reikšmingą sprūdį našumui ir energijos efektyvumui skaičiavimo, dirbtinio intelekto ir grafinių programų srityje.
Tai, kas išskiria HBM3E, yra jos unikali vertikali jungtis tarp daugybės DRAM lustų. Toks dizainas ne tik padidina duomenų apdorojimo greitį ir talpą, bet taip pat gerina šilumos išsklaidymą, užtikrinant optimalų atlikimą. SK Hynix teigia, kad jos HBM3E atminties lustas gali apdoroti duomenis iki 1.15 terabaitų per sekundę. Tampankite šį kontekstą, tai atitinka daugiau nei 230 pilnoji HD raiškos filmų apdorojimą, kurių failo dydis yra 5 GB, vos per vieną sekundę.
Norėdama dar labiau gerinti šilumos išsklaidymą, SK Hynix įdiegė savo šiuolaikinią Advance Mass Reflow Molded Underfill technologiją, rezultate pasiekdama įspūdingą 10% pagerinimą. Šių nuostabių galimybių dėka, SK Hynix numato, kad jos HBM3E technologija taps dirbtinio intelekto technologinės inovacijos varomąja jėga.
Su džiaugsmu pranešame, kad sklando gandai apie tai, jog SK Hynix HBM3E atminties lustas gali žaisti svarbų vaidmenį Nvidia ateities planuose. Nvidia, žinoma dėl savo aukštosios efektyvumo grafikos procesorių, galėtų ieškoti alternatyvios atminties lusto tiekėjos savo B100 Blackwell AI GPU, pasirinkdama SK Hynix. Micron sprendimas atidėti HBM4 iki 2025 metų sukėlė spekuliacijas, kad SK Hynix užpildys šią rinkos spragą.
Nors Samsung iš pradžių buvo palankesnė alternatyva šiam partnerystės susitarimui, SK Hynix HBM3E atminties lustas siūlo įdomią alternatyvą. Abi įmonės su dideliu susidomėjimu laukia Nvidia patvirtinimo dėl partnerystės, nes tai gali labai pakeisti aukštos efektyvumo skaičiavimo ir dirbtinio intelekto veiklos kontekstą.
D.U.K. (Dažniausiai Užduodami Klaustukai):
Kaip HBM3E skiriasi nuo ankstesnių atminties kartų?
HBM3E (High Bandwidth Memory 3 Extend) yra reikšmingas šuolis palyginus su ankstesnėmis atminties kartomis, didinant našumą ir energijos efektyvumą. Jo unikalus vertikalus jungimas tarp daugybės DRAM lustų gerina duomenų apdorojimo greitį, talpą ir šilumos išsklaidymą, užtikrinant optimalų veikimą.
Šaltiniai:
– SK Hynix oficialus tinklapis: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Nvidia oficialus tinklapis: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]
The source of the article is from the blog xn--campiahoy-p6a.es
