Annabelle Stephenson
SK Hynix는 첨단적인 HBM3E DRAM을 출시함으로써 고성능 메모리 분야에서 파장을 일으킬 것으로 예상된다. 이 혁신적인 메모리 기술인 HBM3E은 고대역폭 메모리 gen 3 Extended (HBM3E)로 알려져 있으며 컴퓨팅, 인공지능 및 그래픽 애플리케이션의 성능과 전력 효율성을 크게 향상시킬 것으로 약속하고 있다.
HBM3E은 여러 개의 DRAM 칩을 수직으로 연결하는 독특한 설계가 특징이다. 이러한 설계는 데이터 처리 속도와 용량을 향상시킬 뿐만 아니라 열 방출을 강화하여 최적의 성능을 제공한다. SK Hynix는 HBM3E 메모리 칩이 1.15 테라바이트/초의 놀랄만한 속도로 데이터를 처리할 수 있다고 주장한다. 이를 비교해보면, 한 번에 5GB의 파일 크기를 가진 Full HD 영화 230편을 처리하는 것과 동일하다.
열 방출을 더욱 향상시키기 위해 SK Hynix는 차세대 기술인 고성능 Advanced Mass Reflow Molded Underfill 기술을 도입하여 10%의 향상을 이루었다. 이러한 놀라운 성능을 바탕으로 SK Hynix는 HBM3E 메모리를 AI 기술 혁신의 주도적인 역할로 기대하고 있다.
신기하게도, SK Hynix의 HBM3E 메모리 칩이 Nvidia의 앞으로의 계획에 상당한 역할을 할 수 있다는 소문이 돌고 있다. 고성능 GPU로 유명한 Nvidia는 B100 Blackwell AI GPU를 위해 메모리 칩 공급업체로서 SK Hynix를 대안으로 선택할 수도 있다. Micron이 HBM4의 출시를 2025년으로 연기한 결정은 SK Hynix가 이 시장의 틈을 채울 가능성에 대한 추측을 일으켰다.
초기에는 이 파트너십을 위해 삼성이 유력하게 거론되었지만, SK Hynix의 HBM3E 메모리 칩은 설득력 있는 대안을 제시하고 있다. 양사 모두 Nvidia의 파트너십 확인을 열심히 기다리고 있으며, 이는 고성능 컴퓨팅과 인공지능의 풍경을 크게 바꿀 수 있다.
자주 묻는 질문 (FAQ):
HBM3E은 이전 메모리 세대와 어떻게 다른가요?
HBM3E 또는 고대역폭 메모리 gen 3 Extended는 이전 세대 메모리에 비해 성능과 전력 효율성에서 큰 발전을 나타냅니다. 여러 개의 DRAM 칩을 수직으로 연결하는 독특한 설계는 데이터 처리 속도, 용량 및 열 방출을 향상시켜 최적의 성능을 제공합니다.
출처:
– SK Hynix 공식 웹사이트: www.skhynix.com
– Nvidia 공식 웹사이트: www.nvidia.com
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