SK Hynix lansează tehnologia revoluționară de memorie HBM3E, pentru a concura cu Samsung în cursa memoriei de performanță înaltă

3 februarie 2024
SK Hynix Challenges Samsung in the Race for High-Performance Memory

SK Hynix pregătește terenul pentru o nouă generație de memorie de performanță înaltă cu lansarea memoriei sale inovatoare HBM3E DRAM. Această tehnologie de memorie avansată, cunoscută și sub numele de High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), promite să aducă un salt semnificativ în performanță și eficiență energetică pentru aplicațiile de calcul, inteligență artificială și grafică.

Ceea ce diferențiază HBM3E este designul său unic de interconexiune verticală a mai multor cipuri DRAM. Acest design nu doar crește viteza și capacitatea de procesare a datelor, dar oferă și o disipare superioară a căldurii, asigurând performanță optimă. SK Hynix susține că cipul său de memorie HBM3E poate procesa date la o viteză uimitoare de până la 1,15 terabiți pe secundă. Pentru a pune acest lucru în perspectivă, echivalează cu procesarea a peste 230 de filme Full HD, fiecare cu o dimensiune de fișier de 5GB, în doar o secundă.

Pentru a îmbunătăți și mai mult disiparea căldurii, SK Hynix a implementat tehnologia sa de ultimă generație Advanced Mass Reflow Molded Underfill, obținând o îmbunătățire impresionantă de 10%. Cu aceste capacități remarcabile, SK Hynix își imaginează că HBM3E va fi o forță motrice pentru inovațiile în tehnologia AI.

Mai mult decât atât, există zvonuri conform cărora cipul de memorie HBM3E al SK Hynix ar putea juca un rol semnificativ în planurile viitoare ale Nvidia. Nvidia, recunoscută pentru GPU-urile sale de înaltă performanță, ar putea să se orienteze către SK Hynix ca furnizor alternativ de cipuri de memorie pentru GPU-ul său B100 Blackwell AI. Decizia Micron de a amâna lansarea HBM4 până în 2025 a stârnit speculații cu privire la rolul pe care SK Hynix îl poate juca în acest gol de pe piață.

În ciuda faptului că Samsung era considerat la început favorit în această alianță, cipul de memorie HBM3E al SK Hynix reprezintă o alternativă incitantă. Ambele companii așteaptă cu nerăbdare confirmarea din partea Nvidia cu privire la această alianță, deoarece aceasta ar putea schimba în mod semnificativ peisajul calculului de performanță înaltă și al inteligenței artificiale.

Întrebări frecvente (FAQ):

Cum se diferențiază HBM3E de generațiile anterioare de memorie?
HBM3E, sau High Bandwidth Memory gen 3 Extended, reprezintă un avans semnificativ în performanță și eficiență energetică față de generațiile anterioare de memorie. Designul său unic de interconexiune verticală a mai multor cipuri DRAM îmbunătățește viteza de procesare a datelor, capacitatea și disiparea căldurii, asigurând performanță optimă.

Surse:
– Website-ul oficial SK Hynix: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Website-ul oficial Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog regiozottegem.be

Don't Miss

Foxconn to Establish Major Facility for Nvidia GB200 Chip Production

Foxconn va înființa o unitate majoră pentru producția chip-ului Nvidia GB200

Taipei, Taiwan – Foxconn, recunoscut ca fiind principalul producător de
Market Trends: Key Movements and Insights

Tendințe de Piață: Mișcări Cheie și Perspectivă

Piețele financiare au experimentat fluctuații notabile săptămâna trecută, evidențiate de