Annabelle Stephenson
SK Hynix לוקחת מידע מחדש עם השקת ה-DRAM החדשנית שלה, HBM3E. טכנולוגיית הזיכרון הזו, שיודעת בשמו High Bandwidth Memory 3 Extended (HBM3E), מבטיחה לספק קפיצה משמעותית בביצועים ויעילות הספק שלה ליישומי מחשוב, אינטיליגנציה מלאכותית וגרפיקה.
מה שמביא את HBM3E לנפרד הוא עיצוב החיבור האנכי הייחודי של מספר צ'יפים DRAM. העיצוב הזה משפר לא רק את מהירות עיבוד המידע והתכולה, אלא גם משפר את יכולת פיזור החום ומבטיח ביצועים מקסימליים. SK Hynix מקבילה לצ'יפ הזיכרון HBM3E שלה יכולת בהעברת מידע במהירות מדהימה של עד 1.15 טרה-בתים לשניה. כדי לתת פרספקטיבה, כלומר, יש לנו כאן העברת מידע במהירות שמתחרה בעיבודם של 230 סרטי Full HD בגודל קובץ של 5GB כל אחד בדיוק בשניה אחת.
כדי לשפר עוד יותר את פיזור החום, היא יישמה את טכנולוגיית ה-Advanced Mass Reflow Molded Underfill המתקדמת שלה, המביאה לשיפור של 10% מרשימות. עם היכולות המרהיבות האלה, SK Hynix מתארת את HBM3E שלה ככוח מניע מאחורי החדשנות הטכנולוגית של טכנולוגיית AI.
לשמחתנו, יש רמורים על כך שצ'יפ הזיכרון HBM3E של SK Hynix יכול לשחק תפקיד משמעותי בתוכניות העתיד של Nvidia. Nvidia, הידועה ב-GPU עם ביצועים גבוהים, יכולה לפנות אולי ל-SK Hynix כספק תפקיד נוסף לצ'יפ הזיכרון שלה ל-GPU ה- B100 Blackwell AI שלה. ההחלטה של Micron לדחות את השקת HBM4 עד לשנת 2025 גרמה לספוקולציות על מילוי של SK Hynix בפער המבוקש בשוק.
אף על פי שבהתחלה חשפתה הצהובים את Samsung כהיה קבוצה מובילה לחברות לשותפות זו, צ'יפ הזיכרון HBM3E של SK Hynix מציע חלופה מפתיעה. שני החברות מחכות לאישור מטעם Nvidia בנוגע לשותפות אפשרית באמת, מכיוון שזה עשויה לשנות באופן משמעותי את נופה החישוב והאינטיליגנציה המלאכותית בעלייה.
שאלות נפוצות (FAQ):
איך HBM3E שונה מדורות הזיכרון הקודמים?
HBM3E, או High Bandwidth Memory 3 Extended, מייצג בקיאות משמעותית בביצועים ובאפקטיביות הספק הניתנת להשוואה לדורות הקודמים של זיכרון. עיצוב החיבור האנכי הייחודי של מספר צ'יפים DRAM משפר את מהירות עיבוד המידע, התכולה ופיזור החום, כדי להבטיח ביצועים מיטביים.
מקורות:
– אתר SK Hynix הרשמי: [a href='https://www.skhynix.com']www.skhynix.com[/a]
– אתר Nvidia הרשמי: [a href='https://www.nvidia.com']www.nvidia.com[/a]
