SK Hynix esitleb revolutsioonilist mälu tehnoloogiat HBM3E, pannes Samsungi võimsuse osas tähelepanelikumalt vaatama

SK Hynix astub kõrge jõudlusega mälu maailmas suuri samme, tuues turule oma läbimurdelise HBM3E DRAMi. See innovatiivne mälutehnoloogia, mida tuntakse ka kui High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), lubab olulist jõudluse ja energiatõhususe hüpet arvutuse, tehisintellekti ja graafika rakendustes.

Eraldab HBM3E teistest mälu tehnoloogiatest selle unikaalne vertikaalne ühendamise disain mitme DRAM kiibi vahel. See disain mitte ainult ei suurenda andmete töötlemise kiirust ja mahutavust, vaid parandab ka soojuse hajumist, tagades optimaalse jõudluse. SK Hynix väidab, et nende HBM3E mälukiip suudab töödelda andmeid hämmastava kiirusega kuni 1,15 terabaiti sekundis. Sellele pant kannab mõistmine, et see on võrdväärne üle 230 Full HD filmi, mille faili suurus on 5GB, töötlemisega vaid ühe sekundiga.

Soojuse hajutamise täiustamiseks on SK Hynix kasutanud oma tipptasemel Advanced Mass Reflow Molded Underfill tehnoloogiat, mis võimaldab muljetavaldavat 10% paranemist. Nende muljetavaldavate võimalustega näeb SK Hynix oma HBM3E tehnoloogiat jõudva jõuna AI-tehnoloogiate innovatsiooni taga.

Põnevaks teeb loo see, et on kuulujutte, nagu võiks SK Hynix’i HBM3E mälukiibid mängida olulist rolli Nvidia tulevikuplaanides. Kuulsust kogunud oma kõrge jõudlusega GPU-de poolest võib Nvidia potentsiaalselt pöörduda SK Hynix’i poole alternatiivse mälukiibi pakkujana nende B100 Blackwell AI GPU jaoks. Microni otsus viivitada HBM4 väljaandmist kuni 2025. aastani on tekitanud spekulatsioone SK Hynix’i võimaliku turulünga täitmise osas.

Kuigi algselt oli Samsung soosik selles koostöös, pakub SK Hynix’i HBM3E mälukiip veenvat alternatiivi. Mõlemad ettevõtted ootavad kannatamatult Nvidia kinnitust nende partnerluse kohta, kuna see võib oluliselt muuta kõrge jõudlusega arvutuse ja tehisintellekti maastikku.

Korduma kippuvad küsimused (KKK):

Kuidas erineb HBM3E eelmistest mälu põlvkondadest?
HBM3E ehk High Bandwidth Memory gen 3 Extended esindab olulist jõudluse ja energiatõhususe edasiminekut võrreldes varasemate mälu põlvkondadega. Selle unikaalne vertikaalne ühendamise disain mitme DRAM kiibi vahel tõhustab andmete töötlemise kiirust, mahutavust ja soojuse hajumist, tagades optimaalse jõudluse.

Allikad:
– SK Hynixi ametlik veebisait: www.skhynix.com
– Nvidia ametlik veebisait: www.nvidia.com