SK Hynix Tutvustab Revolutsioonilist HBM3E Mälu Tehnoloogiat, Mis Seab Väljakutse Samsungi Kõrgjõudlusega Mälusaategas

SK Hynix on valmis maailma kõrgjõudlusega mäluvaldkonda tormi tegema oma läbimurdelise HBM3E DRAM mälu turule toomisega. See tipptasemel mälutehnoloogia, mida tuntakse kui kõrgtehnoloogilist mälugi 3 Extended (HBM3E), lubab tuua kaasa märkimisväärse edasimineku arvutamises, tehisintellektis ja graafika rakendustes.

Eriline HBM3E eristusvõime seisneb mitme DRAM-kiibi unikaalses vertikaalses ühendamise kujunduses. See disain suurendab mitte ainult andmete töötlemiskiirust ja mahtu, vaid tagab ka soojuse hajutamise parema jõudluse. SK Hynix väidab, et tema HBM3E mälukiip suudab töödelda andmeid hämmastava kiirusega kuni 1.15 terabaiti sekundis. Selle konteksti mõistmiseks saab seda võrrelda sellega, et see on võrdväärne üle 230 täis-HD filmi töötlemisega, mille iga fail on 5 GB, vaid ühe sekundi jooksul.

Soojuse hajutamise veelgi täiustamiseks on SK Hynix kasutanud oma tipptasemel Advanced Mass Reflow Molded Underfill tehnoloogiat, mis tagab muljetavaldava 10% paranemise. Nende märkimisväärsete võimete abil näeb SK Hynix oma HBM3E-i kui AI-tehnoloogia innovatsiooni ajendit.

Põnev on see, et on kuulujutte, et SK Hynix’i HBM3E mälukiip võib mängida olulist rolli Nvidia tulevastes plaanides. Kõrge jõudlusega GPU-sid tuntud Nvidia võiks SK Hynixi potentsiaalselt kasutada oma B100 Blackwell AI GPU alternatiivse mälukiibi pakkujana. Microni otsus lükata HBM4 välja andmine kuni 2025. aastani on tekitanud spekulatsioone, et SK Hynix täidab selle turul tekkinud tühimiku.

Kuigi alguses eelistati sellele partnerlusele Samsungi, pakub SK Hynixi HBM3E mälukiip veenvat alternatiivi. Mõlemad ettevõtted ootavad kannatamatult Nvidia kinnitust nende partnerluse kohta, kuna see võiks oluliselt muuta kõrgjõudlusega arvutamise ja tehisintellekti maastiku.

Korduma kippuvad küsimused (KKK):

Kuidas erineb HBM3E eelmistest mälu põlvkondadest?
HBM3E ehk kõrgtehnoloogiline mälu põlvkond 3 Extended on võrreldes eelmiste mälu põlvkondadega märgatavas edasiminekus nii jõudluses kui ka energiaefektiivsuses. Mitme DRAM-kiibi vertikaalne ühendamise disain suurendab andmete töötlemise kiirust, mahtu ja soojuse hajutamist, tagades optimaalse jõudluse.

Allikad:
– SK Hynix’i ametlik veebisait: www.skhynix.com
– Nvidia ametlik veebisait: www.nvidia.com

The source of the article is from the blog krama.net