تکنولوژی حافظه HBM3E نوآورانه SK Hynix راهی برای چالش سامسونگ در دنیای حافظه عملکرد بالا می‌شود

در دنیای حافظه عملکرد بالا، شرکت SK Hynix با عرضه حافظه DRAM نوآورانه HBM3E خود، قصد دارد به لرزه‌هایی در دنیای حافظه عملکرد بالا بیفکند. این تکنولوژی حافظه پیشرو به نام High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E)، قول داده است که پیشرفت قابل ملاحظه‌ای در عملکرد و کارایی انرژی برای کاربردهای محاسباتی، هوش مصنوعی و گرافیکی به همراه داشته باشد.

آنچه HBM3E را از سایر حافظه‌ها متمایز می‌کند، طراحی عمودی ارتباط بین چندین تراشه DRAM است. این طراحی نه تنها سرعت و ظرفیت پردازش داده را افزایش می‌دهد، بلکه تفریق حرارت را نیز بهبود می‌بخشد و عملکرد بهینه را تضمین می‌کند. اس‌کی هاینیکس ادعا می‌کند که تراشه حافظه HBM3E خود قادر است داده‌ها را با سرعت شگفت‌انگیزی تا 1.15 ترابایت در ثانیه پردازش کند. برای توضیح این موضوع به شما، معادلش را بیاوریم؛ این به معنای پردازش بیش از 230 فیلم فول اچ‌دی به همراه ظرفیت فایل 5 گیگابایت در یک ثانیه است.

برای بهبود فرایند تفریق حرارت بیشتر، اس‌کی هاینیکس از تکنولوژی پیشرفته Advanced Mass Reflow Molded Underfill بهره برده‌است و توانسته است بهبودی 10 درصدی مشاهده کند. با این قابلیت‌های شگفت‌انگیز، اس‌کی هاینیکس HBM3E را به عنوان یک نیروی محرک در پشت نوآوری‌های تکنولوژی هوش مصنوعی می‌بیند.

با هیجان، شایعاتی مبنی بر اینکه تراشه حافظه HBM3E شرکت اس‌کی هاینیکس می‌تواند نقش بسزایی در طرح‌های آینده Nvidia ایفا کند وجود دارد. Nvidia که به خاطر GPUهای پرقدرت خود مشهور است، احتمالاً به اس‌کی هاینیکس به‌عنوان یک تأمین‌کننده جایگزین تراشه حافظه برای GPU B100 Blackwell AI خود روی آورد. تصمیم نایکرون برای تأخیر عرضه HBM4 تا سال 2025، موجب گمانه‌زنی درباره پر کردن این شکاف در بازار شده است.

اگرچه در ابتدا سامسونگ به‌عنوان راهبرد نخست برای این شراکت مورد توجه قرار می‌گرفت، تراشه حافظه HBM3E شرکت اس‌کی هاینیکس جایگزین جذابیتی را ارائه می‌دهد. هر دو شرکت با شوق منتظر تأییدیه Nvidia درباره این همکاری‌ است و زیرا می‌تواند منظره‌ی محاسبات عملکرد بالا و هوش مصنوعی را به‌طور قابل توجهی تغییر دهد.

سوالات متداول (FAQ):

HBM3E چگونه از نسل‌های قبل حافظه متمایز می‌شود؟
HBM3E، یا High Bandwidth Memory gen 3 Extended، نماینده پیشرفت قابل توجهی در عملکرد و کارایی انرژی نسبت به نسل‌های قبل حافظه است. طراحی عمودی ارتباط بین چندین تراشه DRAM این حافظه، سرعت پردازش داده‌ها، ظرفیت آنها و تفریق حرارت را افزایش می‌دهد و عملکرد بهینه را تضمین می‌کند.

منابع:
– وبسایت رسمی اس‌کی هاینیکس: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– وبسایت رسمی Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog qhubo.com.ni