SK Hynix Paziņo Par Jaunievedumu HBM3E Atmiņas Tehnoloģijā, Iejaucoties Samsung Konkurētspējīgās Augstas Veiktspējas Atmiņas Sacīkstēs

SK Hynix plāno radīt lielas izmaiņas augstas veiktspējas atmiņas industrijā ar savas pārsteidzošās HBM3E DRAM ieviešanu. Šī inovatīvā atmiņas tehnoloģija, pazīstama kā High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), apsolās nodrošināt būtisku veiktspējas un enerģijas efektivitātes lēcienu datoru, mākslīgā intelekta un grafikas lietojumprogrammām.

Tas, kas padara HBM3E izcilu, ir tā unikālais vertikālais savienojumu dizains, kas apvieno vairākas DRAM čipu vienības. Šis dizains ne tikai palielina datu apstrādes ātrumu un kapacitāti, bet arī uzlabo siltuma izvadīšanu, nodrošinot optimālu veiktspēju. SK Hynix apgalvo, ka tās HBM3E atmiņas čipu var apstrādāt datus ar apbrīnojamu ātrumu līdz pat 1,15 terabaitiem katrā sekundē. Lai saprastu mērogu, tas ir ekvivalents tam, ka tikai vienas sekundes laikā tiktu apstrādāti vairāk nekā 230 pilnās HD kvalitātes filmas, kuru katrai faila izmērs ir 5 GB.

Lai vēl vairāk uzlabotu siltuma izvadīšanu, SK Hynix ir ieviesusi savu jaunāko Advanced Mass Reflow Molded Underfill tehnoloģiju, kas rezultējusi ievērojamā 10% uzlabojumā. Ar šādām iespaidīgajām iespējām SK Hynix iedomājas, ka tās HBM3E var kļūt par ajutām spēkavot un inovācijas dzinēju AI tehnoloģiju jomā.

Aizraujoši ir, ka ir dzirdētas baumas, ka SK Hynix HBM3E atmiņas čipi varētu spēlēt nozīmīgu lomu Nvidia nākotnes plānos. Nvidia, kas ir pazīstama ar savām augstas veiktspējas GPU kartēm, potenciāli varētu vērsties pie SK Hynix kā alternatīva atmiņas čipu piegādātāja savai B100 Blackwell AI GPU. Micron lēmums atlikt HBM4 ieviešanu līdz 2025. gadam ir radījis spekulācijas par SK Hynix šo nišu tirgū aizpildīšanu.

Lai gan sākotnēji Samsung tika uzskatīts par šī sadarbības partnerības favorītu, SK Hynix HBM3E atmiņas čips piedāvā pārliecinošu alternatīvu. Abas kompānijas ar nepacietību gaida Nvidia apstiprinājumu par savu sadarbību, jo tas varētu ievērojami pārmainīt augstas veiktspējas datorikas un mākslīgā intelekta ainu.

Bieži uzdotie jautājumi (BUJ):

Kā HBM3E atšķiras no iepriekšējām atmiņas paaudzēm?
HBM3E, jeb High Bandwidth Memory gen 3 Extended, ir ievērojams solis uz priekšu veiktspējā un enerģijas efektivitātē salīdzinājumā ar iepriekšējām atmiņas paaudzēm. Tās unikālais vertikālais savienojumu dizains, kas apvieno vairākus DRAM čipu vienības, uzlabo datu apstrādes ātrumu, kapacitāti un siltuma izvadīšanu, nodrošinot optimālu veiktspēju.

Avoti:
– SK Hynix oficiālā mājaslapa: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Nvidia oficiālā mājaslapa: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog toumai.es