SK Hynix представляет революционную технологию памяти HBM3E, вызывая Samsung на борьбу в гонке за высокопроизводительной памятью

SK Hynix готовится взбудоражить мир высокопроизводительной памяти с запуском своей новаторской HBM3E DRAM. Эта передовая технология памяти, известная как High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), обещает значительный скачок в производительности и энергоэффективности для вычислительных, искусственного интеллекта и графических приложений.

Отличительной чертой HBM3E является уникальная вертикальная схема соединения нескольких чипов DRAM. Эта схема не только повышает скорость обработки данных и емкость, но и улучшает отвод тепла, обеспечивая оптимальную производительность. SK Hynix утверждает, что его чип памяти HBM3E может обрабатывать данные со скоростью до 1,15 терабайт в секунду. Чтобы понять это, эквивалентно обработке более 230 фильмов Full HD, каждый с размером файла 5 ГБ, за одну секунду.

Для дальнейшего улучшения отвода тепла, SK Hynix внедрила передовую технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill, что привело к впечатляющему улучшению в 10%. Благодаря этим выдающимся возможностям, SK Hynix видит свою HBM3E в качестве движущей силы за инновациями в области искусственного интеллекта.

Интересно, что есть слухи о том, что чип памяти HBM3E от SK Hynix может сыграть значительную роль в будущих планах Nvidia. Nvidia, известная своими высокопроизводительными графическими процессорами, возможно, обратится к SK Hynix в качестве альтернативного поставщика чипов памяти для своего B100 Blackwell AI GPU. Решение Micron отложить выпуск HBM4 до 2025 года вызвало спекуляции о заполнении этой ниши на рынке SK Hynix.

Хотя изначально Samsung был предпочтительным партнером для этого сотрудничества, чип памяти HBM3E от SK Hynix представляет собой убедительную альтернативу. Обе компании с нетерпением ждут подтверждения Nvidia относительно своего сотрудничества, так как это может значительно изменить ландшафт высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта.

Часто задаваемые вопросы (ЧАВО):

Как отличается HBM3E от предыдущих поколений памяти?
HBM3E, или High Bandwidth Memory gen 3 Extended, представляет собой значительное усовершенствование производительности и энергоэффективности по сравнению с предыдущими поколениями памяти. Его уникальная вертикальная схема соединения нескольких чипов DRAM повышает скорость обработки данных, емкость и отвод тепла, обеспечивая оптимальную производительность.

Источники:
— Официальный веб-сайт SK Hynix: www.skhynix.com
— Официальный веб-сайт Nvidia: www.nvidia.com

The source of the article is from the blog foodnext.nl