Annabelle Stephenson
SK Hynix je pripravljen narediti val v svetu visoko zmogljivega pomnilnika s predstavitvijo svojega prebojnega pomnilnika HBM3E DRAM. Ta napredna tehnologija pomnilnika, znana kot High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), obljublja pomemben skok v zmogljivosti in energetski učinkovitosti za računalništvo, umetno inteligenco in grafične aplikacije.
Tisto, kar loči HBM3E od drugih pomnilnikov, je njegova edinstvena navpična zasnova povezovanja več DRAM čipov. Ta zasnova ne samo povečuje hitrost obdelave podatkov in kapaciteto, ampak tudi izboljšuje odvajanje toplote, kar zagotavlja optimalno delovanje. SK Hynix trdi, da lahko njegov pomnilniški čip HBM3E obdeluje podatke s presenetljivo hitrostjo do 1,15 terabajtov na sekundo. Za lažje razumevanje, to pomeni, da lahko obdela več kot 230 Full HD filmov, kjer je vsak film velik 5GB, v samo eni sekundi.
Da bi izboljšali odvajanje toplote, je SK Hynix uporabil svojo napredno tehnologijo Advanced Mass Reflow Molded Underfill, kar je privedlo do impresivnega izboljšanja za 10%. S takšnimi izjemnimi zmogljivostmi si SK Hynix predstavlja HBM3E kot gonilno silo inovacij na področju tehnologije umetne inteligence.
Navdušujoče govorice kažejo, da bi lahko SK Hynixev pomnilniški čip HBM3E igral pomembno vlogo pri načrtih podjetja Nvidia. Nvidia, ki je znana po svojih visoko zmogljivih grafičnih procesnih enotah (GPU), bi se lahko obrnila na SK Hynix kot alternativnega ponudnika pomnilniških čipov za svojo GPU B100 Blackwell AI. Odločitev podjetja Micron, da do leta 2025 odloži izdajo HBM4, je sprožila špekulacije o tem, ali bo SK Hynix zapolnil to vrzel na trgu.
Čeprav je bilo na začetku Samsungu dano prednost kot glavnemu kandidatu za to partnerstvo, SK Hynixev pomnilniški čip HBM3E ponuja prepričljivo alternativo. Obe podjetji z nestrpnostjo pričakujeta potrditev Nvidia o njihovem partnerstvu, saj bi to lahko bistveno preoblikovalo področje visoko zmogljivega računalništva in umetne inteligence.
Pogosta vprašanja (FAQ):
Kako se HBM3E razlikuje od prejšnjih generacij pomnilnika?
HBM3E, ali High Bandwidth Memory gen 3 Extended, predstavlja pomemben napredek v zmogljivosti in energetski učinkovitosti v primerjavi s prejšnjimi generacijami pomnilnika. Njegova edinstvena navpična zasnova povezovanja več DRAM čipov izboljšuje hitrost obdelave podatkov, kapaciteto in odvajanje toplote, kar zagotavlja optimalno delovanje.
Viri:
– URADNA SPLETNA STRAN SK Hynix: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– URADNA SPLETNA STRAN Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]
The source of the article is from the blog radardovalemg.com
