Annabelle Stephenson
SK Hynix namerava pretresti svet visoko zmogljivega pomnilnika z lansiranjem revolucionarnega pomnilnika HBM3E DRAM. Ta napredna tehnologija pomnilnika, imenovana High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), obljublja bistven skok v zmogljivosti in energetski učinkovitosti za računalništvo, umetno inteligenco in grafične aplikacije.
Tisto, kar ločuje HBM3E, je edinstvena navpična povezovalna zasnova več pomnilniških čipov DRAM. Ta zasnova ne samo povečuje hitrost obdelave podatkov in kapaciteto, ampak tudi izboljšuje odvajanje toplote, kar zagotavlja optimalno zmogljivost. SK Hynix trdi, da lahko njegov pomnilniški čip HBM3E obdeluje podatke s presenetljivo hitrostjo do 1,15 terabajtov na sekundo. Za lažje razumevanje, to je enako obdelavi več kot 230 filmov Full HD s datotekami velikosti 5 GB v samo eni sekundi.
Da bi še izboljšali odvajanje toplote, je SK Hynix uvedel svojo najsodobnejšo tehnologijo Advanced Mass Reflow Molded Underfill, kar je rezultiralo v impresivnem izboljšanju za 10 %. S temi izjemnimi sposobnostmi SK Hynix predvideva, da bo njegov HBM3E gonilna sila za inovacije na področju AI tehnologije.
Zanimivo je, da obstajajo govorice, da bo pomnilniški čip HBM3E podjetja SK Hynix morda igral pomembno vlogo v prihodnjih načrtih podjetja Nvidia. Nvidia, ki je znana po svojih visoko zmogljivih grafičnih procesnih enotah, bi se lahko obrnila na SK Hynix kot alternativnega dobavitelja pomnilniških čipov za svojo grafično procesno enoto B100 Blackwell AI. Odločitev podjetja Micron, da zamakne izdajo HBM4 do leta 2025, je sprožila ugibanja, ali bo SK Hynix zapolnil to vrzel na trgu.
Čeprav je bilo sprva Samsungu pripisano vodstvo pri tej partnerstvu, pomnilniški čip HBM3E podjetja SK Hynix predstavlja privlačno alternativo. Obe podjetji z velikim zanimanjem čakata na potrditev s strani Nvidie glede njihovega partnerstva, saj bi to lahko bistveno spremenilo pokrajino visoko zmogljivega računalništva in umetne inteligence.
Pogosta vprašanja (FAQ):
Kako se HBM3E razlikuje od prejšnjih generacij pomnilnika?
HBM3E ali High Bandwidth Memory gen 3 Extended predstavlja pomembno napredovanje v zmogljivosti in energetski učinkovitosti v primerjavi s prejšnjimi generacijami pomnilnika. Njegova edinstvena navpična povezovalna zasnova več pomnilniških čipov DRAM povečuje hitrost obdelave podatkov, kapaciteto in odvajanje toplote, s čimer zagotavlja optimalno zmogljivost.
Viri:
– Uradna spletna stran SK Hynix: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Uradna spletna stran Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]
The source of the article is from the blog oinegro.com.br
