SK Hynix Представляє Революційну Технологію Пам’яті HBM3E і Висуває Виклик Samsung У Гонці Високопродуктивної Пам’яті

SK Hynix підготував сюрприз для світу високопродуктивної пам’яті з випуском своєї революційної технології DRAM HBM3E. Ця передова пам’ятева технологія, відома як Високопропускна Пам’ять 3-го покоління (HBM3E), обіцяє суттєво підвищити продуктивність та енергоефективність для обчислювальних, штучного інтелекту та графічних додатків.

Основна відмінність HBM3E полягає у її унікальному вертикальному дизайні взаємозв’язку кількох чіпів DRAM. Цей дизайн не тільки підвищує швидкість та ємність обробки даних, але й поліпшує випромінювання тепла, що забезпечує оптимальну продуктивність. SK Hynix стверджує, що її чіп пам’яті HBM3E може обробляти дані зі захоплюючою швидкістю до 1,15 терабайт в секунду. Щоб виразити це в конкретних цифрах, це еквівалентно обробці понад 230 фільмів повного HD-якості, кожен з яких має розмір файлу 5 ГБ, всього за одну секунду.

Щоб ще більше поліпшити випромінювання тепла, SK Hynix впровадила передову технологію Advanced Mass Reflow Molded Underfill, що призвело до вражаючого покращення на 10%. З такими вражаючими можливостями SK Hynix бачить свою пам’ять HBM3E як силовий рушій за новаторськими технологіями штучного інтелекту.

З цікавості, ходять чутки, що чіп пам’яті HBM3E зірве великий куш для майбутніх планів компанії Nvidia. Nvidia, відома своїми високопродуктивними графічними процесорами, може звернутися до SK Hynix як альтернативного постачальника пам’яті для свого GPU B100 Blackwell AI. Затримка випуску HBM4 до 2025 року з боку Micron викликала загадкові домовки про те, що SK Hynix може зайняти цей ринковий прогалину.

Хоча на початку Samsung вважалося фаворитом для такого партнерства, чіп пам’яті HBM3E від SK Hynix представляє переконливу альтернативу. Обидві компанії з нетерпінням чекають на підтвердження співпраці з боку Nvidia, так як воно може значно змінити краєвид високопродуктивного обчислювання та штучного інтелекту.

Часті запитання (FAQ):

Як HBM3E відрізняється від попередніх поколінь пам’яті?
HBM3E, або Високопропускна Пам’ять 3-го покоління, представляє значні поліпшення у продуктивності та енергоефективності порівняно з попередніми поколіннями пам’яті. Її унікальний вертикальний дизайн взаємозв’язку кількох чіпів DRAM підвищує швидкість обробки даних, ємність та випромінювання тепла, забезпечуючи оптимальну продуктивність.

Джерела:
– Офіційний вебсайт SK Hynix: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Офіційний вебсайт Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog papodemusica.com