Annabelle Stephenson
SK Hynix עומדת לגרום לרהיט בתחום הזיכרון הגבוה-ביצועית עם השקתה של זיכרון HBM3E DRAM החדשני. טכנולוגיית הזיכרון המתקדמת הזו, המוכרת כ-High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), מתבטאת בקיפול בשורת פלטות הזיכרון (DRAM) עם מערכת של חיבורים אנכיים ייחודית. התכנון המיוחד הזה מעבר לשיפור מהותי במהירות עיבוד הנתונים ובקיבולת הזיכרון, אך גם משפר את הפיזור של החום ומבטיח ביצועים מיטביים. SK Hynix טוענת ששבב הזיכרון HBM3E שלה יכול לעבד נתונים במהירות מדהימה של עד 1.15 טרה-בתים לשנייה. להביא את זה למעוף, זו שווה לעיבוד מעל 230 סרטי HD תקניים מלאים, כשכל קובץ בגודל של 5GB, בתוך שנייה אחת בלבד.
כדי לשפר עוד יותר את פיזור החום, SK Hynix משתמשת בטכנולוגיית הדמות המתקדמת שלה – Advanced Mass Reflow Molded Underfill, תוך תוצאה של שיפור של 10% מרשימים. עם היכולות המדהימות האלו, SK Hynix רואה את HBM3E שלה בדרך ככוח המנחה לחדשנות של טכנולוגיית AI.
באופן מרגש, יש רמורים שתקשורת זיכרון ה-HBM3E של SK Hynix עשויה לשחק תפקיד משמעותי בתוכניות העתידיות של Nvidia. מידע נפוץ על הוצאת כרטיסי מסך ביצועים גבוהים של Nvidia, יכולה להצביע לכך שNvidia עשוייה לפנות ל-SK Hynix כספק אלטרנטיבי של שבבי זכרון עבור כרטיס המסך B100 Blackwell AI שלה. ההחלטה של Micron להשהות שחרור שבבי ה-HBM4 שלה עד 2025, הפלצת דמיון שעל ידיך SK Hynix עומדת למלא את החסר בשוק.
גם אם בהתחלה נראה כי Samsung מועדף כהמוביל בשוק זה, שבב הזיכרון HBM3E של SK Hynix מציע בחירה משכנעת נוספת. שני השניים ממתינים בקור חזק לאישור מצד Nvidia בנוגע לחוזה שלהם, כי הוא יכול לשנות באופן משמעותי את פני החישוב וטכנולוגיית AI ביצועים גבוהים.
שאלות נפוצות (FAQ):
איך HBM3E מתייחסת לדורות הקודמים של הזיכרון?
HBM3Eמייצגת שלב גדול במאמצי הביצוע וביעילות מתחם, בהשוואה לדורות הקודמים של זיכרון. התכנון המיוחד של HBM3E עם חיבורים אנכיים ופלטות רבות של פלטות הזיכרון משפר מהירות עיבוד הנתונים, קיבולת הזיכרון ויכולת פיזור של החום, מבטיח ביצועים מיטביים.
מקורות:
– האתר הרשמי של SK Hynix: [a href='https://www.skhynix.com']www.skhynix.com[/a]
– האתר הרשמי של Nvidia: [a href='https://www.nvidia.com']www.nvidia.com[/a]
The source of the article is from the blog klikeri.rs
