SK Hynix Izrāda Revolucionāru HBM3E Atmiņas Tehnoloģiju, Iespējams Iesildot Samsung cīņā par Ātrdarbības Atmiņu

SK Hynix plāno izraisīt satricinājumu ātrdarbības atmiņas pasaulē, ieviešot inovatīvo HBM3E DRAM. Šī jaunievedumu atmiņas tehnoloģija, kas pazīstama arī kā High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), solās nodrošināt ievērojamu ātruma un energoefektivitātes lēcienu datorzinātnei, mākslīgajai intelektam un grafiskiem lietojumiem.

HBM3E atšķirību nosaka tā unikālā vertikālā savienojumu dizains no vairākām DRAM mikroshēmām. Šis dizains ne tikai palielina datu apstrādes ātrumu un kapacitāti, bet arī uzlabo siltuma izkliedi, nodrošinot optimālu veiktspēju. SK Hynix apgalvo, ka tā HBM3E atmiņas mikroshēma var apstrādāt datus ar apbrīnojamu ātrumu līdz pat 1.15 terabaitiem sekundē. Lai to salīdzinātu, tas ir ekvivalents tam, ka katru sekundi tiktu apstrādāti vairāk nekā 230 Full HD filmas, kuru faila izmērs ir 5GB.

Lai vēl vairāk uzlabotu siltuma izkliedi, SK Hynix ir ieviesusi savu uzņēmuma Advanced Mass Reflow Molded Underfill tehnoloģiju, kas rezultējas ievērojamu 10% uzlabojumu. Ar šādām iespaidīgajām spējām SK Hynix uzskata, ka tā HBM3E būs virzītājspēks AI tehnoloģiju inovācijām.

Ar aizrautību plūst baumas, ka SK Hynix HBM3E atmiņas mikroshēma varētu spēlēt svarīgu lomu Nvidia nākotnes plānos. Nvidia, kas slavena ar saviem augstas veiktspējas GPU, varētu vērsties pie SK Hynix kā alternatīva atmiņas mikroshēmu piegādātāja tās B100 Blackwell AI GPU ietvaros. Micron lēmums atlikt HBM4 izlaišanu līdz 2025. gadam ir radījis spekulācijas par to, ka SK Hynix aizpildīs šo tirgus nišu.

Lai gan sākotnēji par šo partnerību tika iekšēji pieņemts, ka Samsung būs favorīts, SK Hynix HBM3E atmiņas mikroshēma piedāvā pārliecinošu alternatīvu. Abas kompānijas ar nepacietību gaida Nvidia apstiprinājumu par šo partnerību, jo tas var ievērojami mainīt augstas veiktspējas datorzinātnes un mākslīgā intelekta ainavu.

Bieži uzdotie jautājumi (BUJ):

Kā HBM3E atšķiras no iepriekšējām atmiņas paaudzēm?
HBM3E jeb High Bandwidth Memory gen 3 Extended ir būtisks solis uz priekšu attiecībā uz veiktspēju un enerģijas efektivitāti salīdzinājumā ar iepriekšējām atmiņas paaudzēm. Tā unikālais vertikālais savienojumu dizains no vairākām DRAM mikroshēmām uzlabo datu apstrādes ātrumu, kapacitāti un siltuma izkliedi, nodrošinot optimālu veiktspēju.

Avoti:
– SK Hynix oficiālā mājaslapa: [a href=’https://www.skhynix.com’]www.skhynix.com[/a]
– Nvidia oficiālā mājaslapa: [a href=’https://www.nvidia.com’]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog coletivometranca.com.br