SK Hynix Odhaľuje Revolučnú Technológiu Pamäte HBM3E, Vyzývajúcu Samsung v Závode na Výkonnú Pamäť

SK Hynix sa chystá spôsobiť vlny vo svete výkonnej pamäte s uvedením svojej priekopníckej DRAM HBM3E. Táto pokroková pamäťová technológia, známa ako High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), sľubuje významný skok výkonu a úspory energie pre výpočtové aplikácie, umelej inteligencie a grafiku.

To, čo odlišuje HBM3E, je unikátny vertikálny interkonekčný návrh viacerých pamäťových čipov. Tento návrh nielenže zvyšuje rýchlosť spracovania údajov a kapacitu, ale tiež zlepšuje odvod tepla, čo zaisťuje optimálny výkon. SK Hynix tvrdí, že jeho pamäťový čip HBM3E dokáže spracovávať údaje s ohromujúcou rýchlosťou až 1,15 terabajtov za sekundu. Ak si to vezmeme do úvahy, je to ekvivalent spracovania viac ako 230 filmov vo formáte Full HD s veľkosťou súboru 5 GB za jednu sekundu.

Pre ďalšie zlepšenie odvodu tepla zaviedol SK Hynix svoju najmodernejšiu technológiu Advanced Mass Reflow Molded Underfill, čo viedlo k pôsobivému zlepšeniu o 10%. S týmito pozoruhodnými schopnosťami si SK Hynix predstavuje, že jeho HBM3E sa stane hnacou silou inovácie v oblasti AI technológií.

S napätím sa šíria reči, že pamäťový čip HBM3E od SK Hynixu by mohol zohrať významnú úlohu v plánoch spoločnosti Nvidia na budúcnosť. Nvidia, známa svojimi vysokovýkonnými GPU, by mohla potenciálne obrátiť svoju pozornosť na SK Hynix ako alternatívneho poskytovateľa pamäťových čipov pre svoj B100 Blackwell AI GPU. Rokovania odkladu uvedenia HBM4 zo strany spoločnosti Micron do roku 2025 viedli k špekuláciám o možnosti SK Hynixu zaplniť túto medzeru na trhu.

Hoci sa pôvodne Samsung javil ako lídrom tohto partnerstva, pamäťový čip HBM3E od SK Hynixu predstavuje presvedčivú alternatívu. Obe spoločnosti netrpezlivo čakajú na potvrdenie zo strany Nvidie ohľadne spolupráce, pretože by to mohlo významne zmeniť krajinu v oblasti výkonného výpočtového a umelého inteligentného modelovania.

Často kladené otázky (FAQ):

V čom sa líši HBM3E od predchádzajúcich generácií pamäte?
HBM3E, alebo High Bandwidth Memory gen 3 Extended, predstavuje významný pokrok vo výkone a úspornosti energie oproti predchádzajúcim generáciám pamäte. Jeho unikátny vertikálny interkonekčný návrh viacerých DRAM čipov zvyšuje rýchlosť spracovania údajov, kapacitu a odvod tepla, čím zaisťuje optimálny výkon.

Zdroje:
– Oficiálna webová stránka SK Hynix: [a href=’https://www.skhynix.com‘]www.skhynix.com[/a]
– Oficiálna webová stránka Nvidia: [a href=’https://www.nvidia.com‘]www.nvidia.com[/a]

The source of the article is from the blog oinegro.com.br