SK Hynix Predstavuje revolučnú technológiu pamäte HBM3E, Výzva pre Samsung v pretekoch o vysokovýkonnú pamäť

3 februára 2024
SK Hynix Challenges Samsung in the Race for High-Performance Memory

SK Hynix chystá významné zmeny v oblasti vysokovýkonových pamätí so svojou revolučnou DDR HBM3E. Táto pokročilá technológia pamäti, známa ako High Bandwidth Memory gen 3 Extended (HBM3E), slibuje značný skok výkonu a energetickú efektivitu pre výpočtové, umelelú inteligenciu a grafické aplikácie.

To, čo odlišuje HBM3E od ostatných pamätí, je jej jedinečný vertikálny dizajn medzi viacerými čipmi DDR. Tento dizajn nielenže zvýšuje rýchlosť spracovania dát a kapacitu, ale zabezpečuje aj lepšie odvodnenie tepla a optimálny výkon. SK Hynix tvrdí, že jej pamäťový čip HBM3E dokáže spracovávať dáta s ohromujúcou rýchlosťou až 1,15 terabajtov za sekundu. Ak si to preložíme do konkrétnych čísel, je to ekvivalent spracovaniu viac ako 230 filmov v plnom rozlíšení HD s veľkosťou súboru 5 GB za jednu sekundu.

Pre ďalšie zlepšenie odvodnenia tepla SK Hynix použil svoju najmodernejšiu technológiu pokročilého formovania a zalisovania s hmotou, čo prináša impozantné zlepšenie o 10%. SK Hynix predstavuje svoj HBM3E ako hnaciu silu za inováciami v oblasti umelej inteligencie.

Sú tu zaujímavé špekulácie, že pamäťový čip HBM3E od SK Hynix by mohol zohrávať významnú rolu v budúcich plánoch spoločnosti Nvidia. Nvidia, známa svojimi vysoce výkonnými GPU, by sa mohla obrátiť na SK Hynix ako alternatívneho poskytovateľa pamäťových čipov pre GPU B100 Blackwell AI. Rozhodnutie spoločnosti Micron o oneskorení vydania pamäte HBM4 do roku 2025 vyvolalo špekulácie o tom, že by SK Hynix mohol vyplniť túto medzeru na trhu.

Hoci sa pôvodne predpokladalo, že Samsung bude vo vedení v tejto spolupráci, pamäťový čip HBM3E od SK Hynix predstavuje presvedčivú alternatívu. Obe spoločnosti s napätím očakávajú potvrdenie od Nvidia o ich spolupráci, pretože by mohlo významne zmeniť obraz v oblasti vysokovýkonného výpočtovania a umelej inteligencie.

– Často kladené otázky (FAQ):

Ako sa HBM3E líši od predchádzajúcich generácií pamätí?
HBM3E, alebo High Bandwidth Memory gen 3 Extended, predstavuje významný pokrok vo výkone a energetickú efektivitu oproti predchádzajúcim generáciám pamätí. Jeho jedinečný vertikálny dizajn medzi viacerými čipmi DRAM zvyšuje rýchlosť spracovania dát, kapacitu a odvod tepla, čo zaisťuje optimálny výkon.

Zdroje:
– Oficiálna webová stránka spoločnosti SK Hynix: www.skhynix.com
– Oficiálna webová stránka spoločnosti Nvidia: www.nvidia.com

The source of the article is from the blog toumai.es

Don't Miss

Apel firmy Epic Games, Meta, Microsoft, X i Match do sądu na rzecz rozwiązania sporu z Apple

Nová Úroveň Technologickej Súťaže: Epic Games, Meta, Microsoft, X a Match Spojujú Sily Proti Applu

Začiatok Konfliktu medzi Epic Games a Apple Rok 2020 bol
Minecraft: Enhancing Creativity with Customized Signboards

Minecraft: Zlepšenie kreativity s prispôsobiteľnými nápisnými tabuľami

Minecraft sa dlho tešil pochvale pre svoje nekonečné možnosti prieskumu